晶閘管伏安特性測(cè)試儀

晶閘管伏安特性測(cè)試儀 型號(hào)：DBC-025

晶閘管伏安特性測(cè)試儀 

簡(jiǎn)介
　　該測(cè)試儀是符合國(guó)標(biāo)GB4023-83《半導(dǎo)體器件整流二極管的測(cè)試方法》和GB-4024-83《半導(dǎo)體反向阻斷三極晶閘管的測(cè)試方法》，能測(cè)試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數(shù)。
IGBT、場(chǎng)效應(yīng)管、整流橋、固態(tài)繼電器、光耦等半導(dǎo)體器件都可測(cè)試。線路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔精煉，采用單片機(jī)控制，具有體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試準(zhǔn)確、保護(hù)可靠和維修方便等特點(diǎn)，是晶閘管可控硅及整流管等半導(dǎo)體器件生產(chǎn)單位、經(jīng)銷商及整機(jī)生產(chǎn)單位用來檢測(cè)器件伏安特性（也叫阻斷特性）參數(shù)的 為理想的專用檢測(cè)設(shè)備。
主要技術(shù)指標(biāo)：
    1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V可選，也可定制其它范圍
    2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA、0—200mA可選，也可定制其它范圍
    3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA、0—198mA
    4．機(jī)內(nèi)專用液晶示波器可觀看動(dòng)態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形
儀器測(cè)試使用方法：
    1．檢查高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時(shí)針調(diào)到零，打開電源開關(guān)，按極性接好被測(cè)管。
    2．根據(jù)個(gè)人習(xí)慣，調(diào)節(jié)示波器的各項(xiàng)功能（光點(diǎn)位置、顏色、粗細(xì)等）至 合適狀態(tài)。
    3．將保護(hù)設(shè)定調(diào)在要求保護(hù)的漏電流值。撥碼開關(guān)上面的一個(gè)數(shù)字代表1mA， 多可以設(shè)定到99mA，一般
          測(cè)室溫電壓時(shí)，保護(hù)設(shè)定在5mA左右。
    4．將正向／反向按鈕置于正向（不按下時(shí)），緩慢順時(shí)針調(diào)節(jié)高壓調(diào)節(jié)旋鈕，觀察示波器，當(dāng)波形出現(xiàn)拐點(diǎn)，
          漏電流表上也顯示有漏電流時(shí)，此時(shí)的電壓即為正向不重復(fù)峰值電壓。一般取不重復(fù)峰值電壓的90%為
          重復(fù)峰值電壓，將電壓調(diào)至重復(fù)峰值電壓，此電壓下的漏電流即為重復(fù)峰值漏電流。然后將高壓調(diào)節(jié)旋鈕
          反時(shí)針調(diào)到零，再將正向／反向按鈕置于反向（按下時(shí)），用同樣的方法測(cè)出反向不重復(fù)峰值電壓，反向
          重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值漏電流。在測(cè)試過程中若因漏電流超過保護(hù)設(shè)定值則保護(hù)動(dòng)作，保護(hù)指示燈
          亮，設(shè)備自動(dòng)斷開加在被測(cè)管Ａ、Ｋ端的高壓，此時(shí)將高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時(shí)針旋到底，儀器即自動(dòng)復(fù)位。
使用注意事項(xiàng)：
    1．三線電源插頭的地端要可靠接地，以確保測(cè)試人員的安全。
    2．測(cè)試峰值電壓后，應(yīng)養(yǎng)成習(xí)慣及時(shí)將高壓調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)到零，禁止在加上高壓時(shí)調(diào)節(jié) 保護(hù)設(shè)定及正反向，測(cè)試
          過程中嚴(yán)禁用手觸摸元件導(dǎo)電部分，以免電擊。
    3．測(cè)試不帶散熱器的管芯時(shí)，要加一定的壓力，以免管芯內(nèi)部接觸不良產(chǎn)生測(cè)試誤差，或因?yàn)閮?nèi)部打火損壞
          被測(cè)元件。
    4．測(cè)試元件耐壓時(shí)應(yīng)盡量不要測(cè)到保護(hù)動(dòng)作，以確保元件不被擊穿損壞。